Estudi i disseny de diverses alternatives per a fer més estable una memòria SRAM

Autors/ores

  • Pau Riera Benito Cap...
  • Bartomeu Alorda

Resum

span lang="CA"Les memograve;ries SRAM actualment estan en constant creixement tant a nivell drsquo;utilitzacioacute; com drsquo;investigacioacute; i es possible trobar memograve;ries SRAM en un gran nombre drsquo;aparells electrograve;nics./span p class="IEEEAbtract"span lang="CA"Malauradament, la miniaturitzacioacute; de la tecnologia CMOS presenta greus problemes per a les memograve;ries SRAM, en aquest tipus de memograve;ries el proceacute;s drsquo;escalat o miniaturitzacioacute; teacute; un impacte gran sobre lrsquo;estabilitat de les dades emmagatzemades a la celmiddot;la SRAM.spannbsp; /spanPer aquesta raoacute; el grup de Sistemes Electrograve;nics de la UIB va proposar estudiar el comportament de tres memograve;ries SRAM amb diferents configuracions de celmiddot;la cada una. En aquest document srsquo;explica el procediments que srsquo;han dut a terme per al disseny de les tres configuracions de memograve;ria SRAM i els resultats obtinguts de la simulacioacute; drsquo;aquets dissenys./span/p

Descàrregues

Les dades de descàrrega encara no estan disponibles.

Biografia de l'autor/a

Pau Riera Benito, Cap...

Enginyer Tegrave;cnic Industrial, esp. electrograve;nica industrial (UIB)

Descàrregues

Publicades

2011-12-19

Número

Secció

Recerca - Divulgació